引言
近年來(lái)，采用微米級(jí)發(fā)光二極管(mini light emittingdiode，Mini-LED)顯示技術(shù)的產(chǎn)品逐漸普及，其產(chǎn)品主要應(yīng)用于中大型屏幕的拼接顯示場(chǎng)景，主要分為背光式和直顯式產(chǎn)品兩類，其中直顯式產(chǎn)品通過(guò)將微型化顯示芯片直接封裝于顯示基板，形成超高密度像素陣列以實(shí)現(xiàn)畫面呈現(xiàn)。根據(jù)近年公開的技術(shù)資料，行業(yè)主流技術(shù)路線多以印制電路板(printedcircuitboard，PCB)作為基板載體，但受限于PCB的材料特性、制程工藝等，其顯示效果存在明顯不足，尤其是拼接顯示時(shí)的邊框?qū)挾群鸵曈X一致性較差，難以滿足近距離、高畫質(zhì)的觀看要求。因此，開發(fā)一種無(wú)拼接邊框、支持高畫質(zhì)近距離觀看的顯示產(chǎn)品至關(guān)重要。
相對(duì)于PCB基板，玻璃基板具有更高的工藝精度、更好的黑化效果及對(duì)比度和平整度。因此，本研究以玻璃基板替代傳統(tǒng)PCB基板，擬開發(fā)一套玻璃基多層金屬膜制備技術(shù)，通過(guò)對(duì)基板玻璃進(jìn)行加工，使驅(qū)動(dòng)面板的線路沿玻璃側(cè)邊沉積，從而實(shí)現(xiàn)屏幕無(wú)縫拼接，以期推動(dòng)大尺寸屏幕在顯示效果、近距離觀看體驗(yàn)等方面的跨越式提升。
1、Mini-LED技術(shù)原理
1.1Mini-LED顯示屏簡(jiǎn)介
Mini-LED顯示技術(shù)作為一種新型顯示技術(shù)，采用50～200μm的小型化LED芯片，通過(guò)縮小相鄰像素點(diǎn)距離、精確控制每個(gè)LED的色彩與亮度，實(shí)現(xiàn)高對(duì)比度和高動(dòng)態(tài)范圍的顯示畫質(zhì)[1]。主要分為直顯式產(chǎn)品和液晶顯示背光用產(chǎn)品兩類，目前已廣泛應(yīng)用于電視、筆記本電腦、戶外大屏、安防應(yīng)急指揮中心、虛擬現(xiàn)實(shí)和增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)等領(lǐng)域，極大地提升了設(shè)備的顯示效果與用戶體驗(yàn)。Mini-LED顯示的主要技術(shù)優(yōu)勢(shì)在于可實(shí)現(xiàn)極高的對(duì)比度，使畫面更為生動(dòng);可實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的局部調(diào)光，提升畫面亮度和暗度表現(xiàn)，進(jìn)而呈現(xiàn)出更為真實(shí)的畫面效果[2－3]。另外，MiniLED顯示具有極高的亮度，即使在陽(yáng)光直射的環(huán)境下，依然可以呈現(xiàn)清晰的畫面。而且，Mini-LED顯示具有較低的能耗和較長(zhǎng)的使用壽命，不易出現(xiàn)燒屏、殘影等問(wèn)題，極大地降低了設(shè)備維護(hù)成本。
其中，Mini-LED直顯式產(chǎn)品通過(guò)將微型化ＲGB顯示芯片直接封裝于基板，形成超高密度像素陣列以實(shí)現(xiàn)畫面呈現(xiàn)，可滿足任意大小的無(wú)縫拼接以及高品質(zhì)、近距離、超大尺寸的顯示需求。隨著像素間距的不斷縮小，像素密度將不斷增加，這對(duì)PCB基板的加工精度提出了極高要求。
在此趨勢(shì)下，基于PCB基板的Mini-LED產(chǎn)品逐漸失去優(yōu)勢(shì)，其極小線寬的技術(shù)要求使得生產(chǎn)難度陡增。在中型尺寸高畫質(zhì)顯示面板領(lǐng)域，基于玻璃基板的Mini-LED產(chǎn)品成為更理想的選擇，其不僅具備優(yōu)異的導(dǎo)熱性能，還具有出色的熱穩(wěn)定性和極小的形變量，同時(shí)能保證基板的高度平整性。特別值得注意的是，在玻璃基底無(wú)縫拼接式Mini-LED產(chǎn)品開發(fā)中，為實(shí)現(xiàn)極窄無(wú)縫顯示效果，需要將驅(qū)動(dòng)IC和控制單元全部設(shè)計(jì)在基板背面，這種特殊結(jié)構(gòu)使得如何通過(guò)產(chǎn)品和工藝設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)單元與發(fā)光單元的有效連接成為核心技術(shù)難題。
1.2玻璃基Mini-LED顯示技術(shù)
1.2.1側(cè)邊工藝對(duì)比
為實(shí)現(xiàn)正面發(fā)光單元和背面驅(qū)動(dòng)單元的有效連接，常規(guī)的工藝技術(shù)路線包括柔性PCB(flexiblePCB，F(xiàn)PCB)綁定技術(shù)、挖孔刻蝕技術(shù)和傳統(tǒng)平面磁控濺射鍍膜技術(shù)等。
然而，這些技術(shù)均存在各自的應(yīng)用局限性。例如，F(xiàn)PCB綁定技術(shù)需將電路板在顯示屏幕正面綁定后再?gòu)澱壑帘趁孢M(jìn)行驅(qū)動(dòng)連接，這勢(shì)必會(huì)造成顯示屏幕的黑邊框?qū)挾仍黾?挖孔電鍍沉積金屬技術(shù)面臨玻璃基材挖孔效率低下且平面磁控濺射設(shè)備難以實(shí)現(xiàn)深孔臺(tái)階覆蓋等技術(shù)瓶頸，無(wú)法滿足大規(guī)模高效生產(chǎn)需求。因此，針對(duì)玻璃基材的極窄邊框顯示產(chǎn)品線路制備問(wèn)題，亟須開發(fā)新型制備工藝技術(shù)。本研究提出的3D磁控濺射設(shè)備與工藝可有效解決上述瓶頸問(wèn)題，為玻璃基底Mini-LED顯示屏幕實(shí)現(xiàn)極窄邊框設(shè)計(jì)路線提供創(chuàng)新解決方案。該技術(shù)主要應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)和通信金屬線路的沉積制備，可實(shí)現(xiàn)屏幕側(cè)面連接線路的高效制備，不僅能夠達(dá)到無(wú)縫拼接的顯示效果，而且更具備產(chǎn)業(yè)化大規(guī)模應(yīng)用潛力。
1.2.23D磁控濺射技術(shù)原理
3D磁控濺射鍍膜技術(shù)是物理氣相沉積(physicalvapordeposition，PVD)技術(shù)的一種，PVD是在真空條件下，通過(guò)材料源表面的氣化(形成氣體原子、分子或部分電離成離子)過(guò)程，基于低壓氣體和等離子體作用，在基體表面沉積功能性薄膜的技術(shù)[4]。其基本工藝過(guò)程可概括為3個(gè)關(guān)鍵階段:其一，通過(guò)蒸發(fā)、升華或?yàn)R射等過(guò)程使粒子從原材料中脫離;其二，粒子間發(fā)生碰撞，產(chǎn)生離化或復(fù)合等反應(yīng)并傳輸至基底層;其三，粒子在基片表面凝結(jié)、成核、生長(zhǎng)和成膜。在實(shí)際濺射工藝中，通常利用電場(chǎng)加速的正離子轟擊靶電極(陰極)，誘導(dǎo)其原子發(fā)生濺射。該過(guò)程依賴于氣體的輝光放電現(xiàn)象。濺射方法種類較多，具有高速、低溫、低損傷[5]等顯著優(yōu)勢(shì)。
如圖1所示，3D磁控濺射系統(tǒng)的核心特征在于:在靶材背面施加相互垂直的電磁場(chǎng)(靶材為陰極，基底為陽(yáng)極)，垂直于電場(chǎng)方向分布的磁力線將電子約束在靶材表面附近做螺旋進(jìn)動(dòng)位移，可有效延長(zhǎng)其在等離子體中的運(yùn)動(dòng)軌跡和路徑，提高電子與氬氣分子的碰撞概率。同時(shí)，受正交電磁場(chǎng)束縛的電子只能在其能量耗盡時(shí)湮沒在襯底上，在電場(chǎng)E的作用下，電子與氬原子碰撞并發(fā)生電離，產(chǎn)生Ar+和新電子。新電子飛向襯底，Ar+在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶材，高速轟擊靶材，引生濺射現(xiàn)象。靶材原子產(chǎn)生的二次電子沿E×B方向漂移。經(jīng)多次碰撞后，二次電子能量下降，逐漸遠(yuǎn)離靶表面，最終沉積在襯底上[6－8]。上述反應(yīng)原理使得磁控濺射具有低溫、高速的顯著優(yōu)勢(shì)，同時(shí)電子對(duì)玻璃基底的轟擊能量小，可減少基底損傷，避免基底溫升過(guò)高，降低薄膜污染的可能性[9]。
2、側(cè)邊金屬線路工藝設(shè)計(jì)與制作
2.1設(shè)備硬件設(shè)施布局與相關(guān)性能指標(biāo)
根據(jù)玻璃基Mini-LED顯示器件的應(yīng)用場(chǎng)景需求，本研究設(shè)計(jì)出可3D沉積Mini-LED側(cè)面金屬線路的專用設(shè)備，進(jìn)行側(cè)邊線路的PVD鍍制銅金屬薄膜，實(shí)現(xiàn)正面顯示像素與背面控制單元的回路連接，設(shè)備型號(hào)為POWEＲTECHSP－0606SI型，設(shè)備的硬件結(jié)構(gòu)示意圖如圖2所示，主要包括真空腔室和泵組系統(tǒng)、測(cè)量系統(tǒng)、2套離子電源、2套直流電源、2套高壓電弧電源、1套偏壓控制系統(tǒng)、反應(yīng)氣體回路等[10]。
設(shè)備相關(guān)性能參數(shù)如下:腔室真空系統(tǒng)真空能力為5×10－5Pa;反應(yīng)氣體流量系統(tǒng)型號(hào)為AreaFC-Ｒ7700，量程0.6～300L/H;離子電源型號(hào)為SP-485系列，輸出最大電壓為DC1600V，輸出最大功率為5kW;弧電源型號(hào)為SP-3A150，工作電壓為16～30V，最大輸出電流≤150A;直流電源型號(hào)為AE-PNCL12k，最大輸出功率為12kW，工作設(shè)定電壓為800V。
工藝設(shè)施特殊要求如下:實(shí)施鍍膜工藝時(shí)，樣品需放置在腔室中心可旋轉(zhuǎn)的偏壓轉(zhuǎn)架上，保證導(dǎo)電良好，各靶材依次環(huán)繞腔室分布，當(dāng)對(duì)應(yīng)的靶材開始工作時(shí)，樣品鍍膜區(qū)域可定向旋轉(zhuǎn)到靶材正對(duì)面位置;直流電源1連接直流銅靶材，直流電源2連接鈦靶材，這2套靶材設(shè)計(jì)有可移動(dòng)式電機(jī)，可以根據(jù)樣品在腔室中旋轉(zhuǎn)角度進(jìn)行前后移動(dòng)，調(diào)節(jié)靶基距離，以實(shí)現(xiàn)更高的鍍膜精度和正背面更好的臺(tái)階覆蓋性。基于該設(shè)備可針對(duì)性地在Mini-LED顯示屏幕的側(cè)面鍍制驅(qū)動(dòng)和通信線路，實(shí)現(xiàn)正面－側(cè)面－背面的線路連接和導(dǎo)通，最大程度縮小顯示屏幕邊框，極大提高屏占比。
2.2工藝條件設(shè)計(jì)與樣品制作
設(shè)計(jì)好設(shè)備硬件設(shè)施后，根據(jù)Mini-LED電路系統(tǒng)選擇金屬線路的材質(zhì)，側(cè)邊線路對(duì)導(dǎo)電性要求較高，要求阻抗＜35mΩ，故使用金屬銅而非金屬鋁進(jìn)行導(dǎo)電連接，但是由于金屬銅的防腐蝕能力較差，其表面需覆蓋抗腐蝕性能優(yōu)異的保護(hù)金屬，而金屬鈦具有優(yōu)異的抗腐蝕能力，因此整個(gè)側(cè)邊線路選用金屬銅和金屬鈦進(jìn)行鍍制，以實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電性與防腐蝕性的平衡。
為驗(yàn)證工藝可行性，在設(shè)備調(diào)試完成后，選用預(yù)置電路布線的玻璃基板進(jìn)行藝參數(shù)優(yōu)化實(shí)驗(yàn)，具體實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)如表1所示。第1組樣品在玻璃基底上分別鍍純銅膜層(樣品1－1)、純鈦膜層(樣品1－2);第2組樣品在玻璃基底上鍍鈦+銅膜層(樣品2－1);第3組樣品在玻璃基底上分別鍍鈦+鈦銅合金+銅(樣品3－1)、鈦+鈦銅合金+銅+鈦銅合金+鈦(樣品3－2)、在玻璃基板上鍍弧靶鈦+鈦+鈦銅合金+銅+銅鈦合金+鈦(樣品3－3)[11]。
表 1 工藝與膜層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
| 樣品編號(hào) | 直流銅靶 | 直流鈦靶 | 弧鈦靶 | 離子源 | 偏壓 | 膜層 | 樣品數(shù)量 / 片 |
| 1-1 | 1 | 0 | 0 | 開 | 開 | 純銅 | 10 |
| 1-2 | 0 | 1 | 0 | 開 | 開 | 純鈦 | 10 |
| 2-1 | 2 | 1 | 0 | 開 | 開 | 鈦 + 銅 | 10 |
| 3-1 | 2、3 | 1、2 | 0 | 開 | 開 | 鈦 + 鈦銅合金 + 銅 | 10 |
| 3-2 | 2、3、4 | 1、2、4、5 | 0 | 開 | 開 | 鈦 + 鈦銅合金 + 銅 + 銅鈦合金 + 鈦 | 10 |
| 3-3 | 3、4、5 | 2、3、5、6 | 1 | 開 | 開 | 弧靶鈦 + 鈦 + 鈦銅合金 + 銅 + 銅鈦合金 + 鈦 | 20 |
3、黏附力測(cè)試結(jié)果與分析
3.1黏附力測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)與結(jié)果分析
樣品制備完成后，采用統(tǒng)一制式的3M－2214型膠黏帶進(jìn)行黏附力測(cè)試，測(cè)試方法如圖3所示。
具體測(cè)試方法:將膠黏帶放在樣品膜層中心，用手指將膠黏帶與膜層接觸部位壓平，膠黏帶超出接觸部位10mm。為確保膠黏帶與膜層接觸良好，用手指尖輕壓膠黏帶，保證膠黏帶與膜層全面接觸。在貼上膠黏帶1min內(nèi)，拿住膠帶懸空的一端，以接近60°的角度，在0.5～1s內(nèi)勻速撕開膠黏帶。測(cè)試完成后使用基恩士超景深顯微鏡VHX－7000進(jìn)行高倍率成像，觀察樣品黏附力情況，并記錄正－背－側(cè)面的金屬膜層脫落面積比例。參考《色漆和清漆劃格實(shí)驗(yàn)》(GB/T9286—2021)等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)制定測(cè)試標(biāo)準(zhǔn):A級(jí)，沒有任何剝離，黏附力極好;B級(jí)，只有微量剝離，脫落比例＜5%，黏附力良好;C級(jí)，部分剝離，脫落比例5%～15%，黏附力一般;D級(jí)，大部分剝離，脫落比例15%～35%，黏附力較差;E級(jí)，嚴(yán)重剝離，脫落比例35%～65%，黏附力差;F級(jí)，完全剝離或脫落比例＞65%，黏附力非常差。測(cè)試結(jié)果如表2所示。
表 2 黏附力測(cè)試結(jié)果
| 樣品編號(hào) | 脫落面積占比 | 脫落情況分級(jí) | 黏附力性能描述 |
| 1-1 | 8 片 >65%，2 片 ≈50% | F | 局部大量脫落，黏附力很差 |
| 1-2 | 7 片 ≈0，3 片 <5% | A | 無(wú)脫落，黏附力極好 |
| 2-1 | 銅層脫落：5 片 ≈35%，5 片 ≈20% | D | 分層脫落，銅層黏附力較差 |
| 3-1 | 10 片 <5% | B | 極少脫落，黏附力良好 |
| 3-2 | 10 片 <5% | B | 極少脫落，黏附力良好 |
| 3-3 | 抽檢 10 片 <5% | B | 極少脫落，黏附力良好 |
3.2結(jié)果與分析
首先，對(duì)比樣品1－1與樣品1－2黏附力測(cè)試結(jié)果可知，純銅膜層與玻璃基底結(jié)合能力要弱于純鈦膜層。究其原因，一方面，可能是由于玻璃表面粗糙度低，金屬膜層沉積結(jié)合困難，另一方面，銅的熱膨脹系數(shù)為17×10－6K－1，鈦的熱膨脹系數(shù)為7.6×10－6K－1，而玻璃的熱膨脹系數(shù)為3×10－6K－1，銅與玻璃的熱膨脹系數(shù)差異更大，在高溫鍍膜回溫后可能導(dǎo)致內(nèi)應(yīng)力產(chǎn)生，造成銅膜層脫落更加嚴(yán)重。
此外，金屬銅的抗腐蝕性能力遠(yuǎn)弱于金屬鈦，即使銅膜層的黏附力得到提升，也不建議直接使用銅膜層與玻璃基底進(jìn)行接觸，因?yàn)殂~層更易被玻璃基底析出的雜質(zhì)元素侵蝕，導(dǎo)致通信線路失效，因此將鈦?zhàn)鳛榈讓幽づc玻璃基底結(jié)合更能確保線路的可靠性。
其次，分析樣品2－1黏附力測(cè)試結(jié)果可知，鈦層和銅層之間的結(jié)合面黏附力較差，出現(xiàn)銅鈦分層脫落的現(xiàn)象，分析其原因，將鈦?zhàn)鳛榻Y(jié)合層置于中間時(shí)，銅與鈦的結(jié)合力優(yōu)于銅與玻璃基底的結(jié)合力，這是由于銅和鈦同為金屬晶體，界面結(jié)合相對(duì)容易，但是由于濺射工藝順序設(shè)置為鈦和銅分別沉積，導(dǎo)致兩層膜的微觀分界面明顯，屬于簡(jiǎn)單機(jī)械結(jié)合，再加上銅的延展性較好，易發(fā)生拉伸形變，從而導(dǎo)致一定比例的剝離脫落。為提升金屬鈦和金屬銅的界面結(jié)合力，調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝，引入樣品3－1的銅鈦合金層作為金屬間過(guò)渡層，以改善金屬界面分層脫落的問(wèn)題。事實(shí)上，樣品3－1的“鈦+鈦銅合金+銅”多層復(fù)合膜的黏附力測(cè)試結(jié)果也顯示，銅層的脫落情況得到明顯改善，膜層與基底、各膜層之間的結(jié)合力均良好，未出現(xiàn)大量脫落的現(xiàn)象，這一創(chuàng)新性的膜層工藝設(shè)計(jì)極大地提高了膜層的黏附力。這是由于同時(shí)鍍制銅和鈦時(shí)，在成核過(guò)程中，銅鈦金屬交織生長(zhǎng)，且有一定概率形成銅鈦固溶合金，界面結(jié)合力更加牢固，界面內(nèi)膜層黏附力得以改善[11]。另外，考慮到金屬鈦的抗腐蝕性能力優(yōu)異，且其氧化物結(jié)構(gòu)比較致密，能夠隔絕水分、氧等環(huán)境雜質(zhì)對(duì)通信線路的侵蝕，為更好地對(duì)表層金屬銅層進(jìn)行防護(hù)，本研究又設(shè)計(jì)了樣品3－2“鈦+鈦銅合金+銅+銅鈦合金+鈦”的多層復(fù)合膜結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步提升金屬線路的綜合抗腐蝕能力，黏附力測(cè)試結(jié)果顯示，樣品3－2展現(xiàn)出良好的黏附力特性。
最后，為進(jìn)一步提升黏附力，在前述工藝基礎(chǔ)上，添加了高壓弧靶鈦金屬作為成核引導(dǎo)工序，根據(jù)磁控濺射儀器的工作特點(diǎn)，弧光放電產(chǎn)生的瞬時(shí)熔融高溫使得金屬鈦的晶粒以極高的動(dòng)能在玻璃表面沉積，這進(jìn)一步鞏固了底層膜層與基板的結(jié)合力，而且臺(tái)階覆蓋度能夠得到進(jìn)一步優(yōu)化，對(duì)后續(xù)增加功能膜層厚度有極大幫助。黏附力測(cè)試結(jié)果顯示，樣品3－3黏附力特性良好。特別的，為進(jìn)一步驗(yàn)證黏附力測(cè)試結(jié)論，基于上述工藝條件進(jìn)行了大批量樣品測(cè)試與試生產(chǎn)，黏附力特性均表現(xiàn)良好。
4、結(jié)語(yǔ)
本研究通過(guò)3D磁控濺射法設(shè)計(jì)制備了不同膜層結(jié)構(gòu)的薄膜器件，通過(guò)黏附力測(cè)試篩選出最佳的膜層結(jié)構(gòu)，為玻璃基Mini-LED顯示屏幕的側(cè)邊線路鍍制提供了創(chuàng)新性解決方案，其創(chuàng)新性主要在于多層膜工藝方案、設(shè)備開發(fā)、設(shè)備與工藝步驟相配合的技術(shù)要求等均屬于首次應(yīng)用，并且具備批量生產(chǎn)和大規(guī)模應(yīng)用的可能性。但是，該3D磁控濺射工藝中涉及的膜層黏附力和通信線路導(dǎo)電性能、抗腐蝕性能等還可做進(jìn)一步優(yōu)化，以提升產(chǎn)品的可靠性。另外，此技術(shù)可為硅基光電器件和柔性有機(jī)LED發(fā)光器件等的工藝探索提供一定的參考。
[參考文獻(xiàn)]
[1] 馮艷麗，黃衛(wèi)東，鄺國(guó)烽，等． Mini-LED 背光液晶顯示器光暈測(cè)量方法 [J]． 信息技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)化，2023( 11) : 20 －24．
[2] 郭黎明，朋朝明，陳偉雄，等． MiniLED 電視背光技術(shù)淺析與顯示標(biāo)準(zhǔn)介紹[J]． 電子產(chǎn)品世界，2022，29( 5) : 24 －30．
[3] 盧振威，湯暉，林志杭，等． 針對(duì) MiniLED 芯片載板的圖像清晰度評(píng)價(jià)函數(shù)設(shè)計(jì) [J]． 機(jī)械工程與自動(dòng)化，2023( 6) :89－90; 93．
[4] 胡敏． 磁控濺射 Ti /TiN 多層薄膜制備及其性能研究 [D]．南昌: 南昌大學(xué)，2010．
[5] 高鵬飛． 磁控濺射法制備 ITO 薄膜及其光電性能研究 [D]．北京: 北京交通大學(xué)，2014．
[6] 易旭陽(yáng)，李繼文，劉偉，等． 基底偏壓對(duì)磁控濺射沉積MoSi2 薄膜結(jié)構(gòu)及力學(xué)性能的影響 [J]． 河南科技大學(xué)學(xué)報(bào)( 自然科學(xué)版) ，2020，41( 5) : 1－7; 12; 3．
[7] 羅蓉蓉，但敏，李鵬遠(yuǎn)，等． 脈沖偏壓對(duì)磁控濺射 MoS2 固體潤(rùn)滑涂層性能影響 [J]． 真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào)，2018，38( 3) : 208－213．
[8] 范迪，雷浩，宮駿，等． 正交電磁場(chǎng)離子源及其在 PVD 法制備硬質(zhì)涂層中的應(yīng)用 [J]． 真空，2014，51( 4) : 48－52．
[9] 霍秋紅，張翔，王昆侖，等． 脈沖偏壓占空比對(duì)磁控濺射制備 ITO 薄膜光電性能的影響 [J]． 科技智囊，2020 ( 8) :50 －53．
[10] 薛瑩潔，陳海峰． 磁控濺射鍍膜中鈦靶冷卻系統(tǒng)的仿真與優(yōu)化 [J]． 鈦工業(yè)進(jìn)展，2017，34( 2) : 38－44．
[11] 侯麗媛． 雙靶共沉積鍍制復(fù)合膜的成分均勻性研究 [D]．沈陽(yáng): 東北大學(xué)，2010．
（注，原文標(biāo)題：磁控濺射技術(shù)在Mini-LED顯示領(lǐng)域的應(yīng)用）
無(wú)相關(guān)信息
