濺射靶材在生產過程過有個環節是真空鍍膜，在真空鍍膜中，方法主要有蒸發鍍膜和濺射鍍膜，其中濺射鍍膜又可以分為不同種類，凱澤金屬結合各類靶材的深加工、銷售經驗以及相關資料，將濺射鍍膜靶材的分類方法與特點，整理如下：
一、按電極結構分類
1、磁控濺射
磁控濺射也可以叫做高速低溫濺射，在與靶表面平行的方向上施加磁場，利用電場和磁場相互垂直的磁控管原理減少電子對基的轟擊，使高速濺射成為可能。對Cu來說，濺射沉積速率為1.8μm/min時，溫升為2℃／μm。CU的自濺射可在10-6Pa的低壓下進行。
2、二極濺射
二級濺射的特點是構造簡單，在大面積的基板上可以制取均勻的薄膜，放電電流流隨氣壓和電壓的變化而變化。
3、三或四極濺射
三或四極濺射特點為可實現低氣壓、低電醫濺射，放電電流和轟擊靶的離子能量可獨立調節控制。可自動控制靶的電流。也可進行射頻濺射。
二、其他分類
1、偏壓濺射
（1）偏壓濺射特點是在鍍膜過程中同時清除基板上輕質量的帶電粒子，從而使基板中不含有不純氣體，如H20、N2等殘留氣體等。
（2）偏壓濺射就是在成膜的基板上施加幾百伏的負偏壓，可使膜層致密、改善膜層的性能。
（3）偏壓濺射與二極濺射的區別在于基片上施加固定直流偏壓，若施加的是負偏壓，則在薄膜淀積過程中，基片表面都將受到氣體離子的穩定轟擊，隨時清除可能進入薄膜表面的氣體，有利于提高薄膜的純度，另外偏壓濺射還可以改變淀積薄膜的結構。
2、對向靶濺射
對向靶濺射特點是兩個靶對向布置，在直于靶的表面方向加上磁場，基板位于磁場之外。可以對磁性材料行高速低溫濺射。對向靶濺射的優點是濺射速率高，基板溫度低，可淀積磁性薄膜。
3、射頻濺射
（1）射頻濺射特點是開始是為了制取絕緣體如石英、玻璃、Al2O3的薄膜而研制的。也可射鍍制金屬膜。靶表面加磁場可以進行磁控射頻濺射。
（2）射頻濺射是利用射頻放電等離子體中的正離子轟擊靶材、濺射出靶材原子從而沉積在接地的基板表面的技術。射頻濺射幾乎可以用來沉積任何固體材料的薄膜，獲得的薄膜致密、純度高、與基片附著牢固、建設速率大、工藝重復性好。常用來沉積各種合金膜、磁性膜以及其他功能膜。
（3）射頻濺射是在射頻電壓作用下，利用電子和離子運動特征的不同，在靶的表面感應出負的直流脈沖，而產生濺射現象，能對絕緣體進行濺射鍍膜。
4、離子束濺射
離子束濺射又稱離子束沉積，是在離子束技術基礎上發展起來的新的成膜技術，特點在高真空下，利用離子束濺射鍍膜，是非等離子體狀態下的成膜過程。靶接地電位也可，丕可以進行反應離子束濺射。雖然這種鍍膜技術所設計到現象比較復雜，但通過核實的選擇靶材及例子能量、種類等，可以比較容易地制取各種不同的金屬、氧化物、氮化物及其他化合物等薄膜，特別適合制作多組元金屬氧化物薄膜。目前這一技術已在磁性材料、超導材料以及其他電子材料的薄膜制備方面得到應用，
5、反應濺射
反應濺射是指在存在反應氣體的情況下，濺射靶材時，靶材會與反應氣體反應形成化合物，如氮化物或氧化物，在惰性氣體濺射化合物靶材時由于化學不穩定性往往導致薄膜較靶材少一個或更多組分，此時如果加上反應氣體可以補償所缺少的組分，這種濺射也可以視為反應濺射。反應物之間產生反應的必要條件是，反應物分子必須有足夠高的能量以克服分子間的勢壘。
以上就是靶材濺射鍍膜的種類及特點介紹，希望能幫助大家對靶材行業有所了解。在按電極結構分類中磁控濺射是在二級濺射和三級濺射的基礎上發展起來的，由于磁控濺射可在低溫和低損傷條件下實現高速沉積，已成為目前靶材生產的主要方式。寶雞市凱澤金屬材料有限公司是一家研發生產鈦靶、鉻靶、鋯靶、鎳靶、鈦鋁靶、鈦絲、鈦加工件、鈦鍛件等金屬材料為主的高新技術企業，十余年專注于濺射靶材、鍍膜靶材、平面多弧靶材研發、生產，靶材組織結構均勻、濺射成膜性能優異，如果您對靶材有疑問或需要，歡迎聯系凱澤金屬。
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